温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD5N65M6-HXY
STD5N65M6-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3A的连续漏极电流（ID）以及820mΩ的导通电阻（RDS(on)）。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+19V，适用于多种驱动电路配置。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适合用于高效率电源适配器、光伏逆变系统、数据中心供电模块及便携式快充设备等应用。
- 商品型号
- STD5N65M6-HXY
- 商品编号
- C53134117
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω |
相似推荐
其他推荐
- STD6N65M2-HXY
- NTT2023N065M3S-HXY
- NVT2023N065M3S-HXY
- ST8L65N044M9-HXY
- IPBE65R050CFD7AATMA1-HXY
- UF3SC065040B7S-HXY
- G3F45MT06J-TR-HXY
- C3M0045065J1-TR-HXY
- IMBG65R048M1HXTMA1-HXY
- SCTH35N65G2V-7AG-HXY
- NTBG060N065SC1-HXY
- NVBG060N065SC1-HXY
- IMZA65R050M2HXKSA1-HXY
- G3F45MT06K-HXY
- IMZA65R060M2HXKSA1-HXY
- STW75N65DM6-4-HXY
- STW68N65DM6-4AG-HXY
- IPZA65R040CM8XKSA1-HXY
- FCH041N65EFLN4-HXY
- IPZA60R045P7XKSA1-HXY
- IPZ65R045C7XKSA1-HXY