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R6504END3TL1-HXY
R6504END3TL1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流能力，最大漏源电压达900V，导通电阻为712mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能和开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其高耐压与低导通损耗特性，使其在高频运行条件下仍能保持较低的热应力，适合用于各类高效电力电子系统中的开关应用。
- 商品型号
- R6504END3TL1-HXY
- 商品编号
- C53134114
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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