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R6504END3TL1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流能力，最大漏源电压达900V，导通电阻为712mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能和开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其高耐压与低导通损耗特性，使其在高频运行条件下仍能保持较低的热应力，适合用于各类高效电力电子系统中的开关应用。
- 商品型号
- R6504END3TL1-HXY
- 商品编号
- C53134114
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 66pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.28Ω |
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