IPD65R950CFDATMA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具有高耐压能力和良好的高温工作特性，在高频开关条件下仍能维持较低的开关损耗。适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换系统，尤其适合空间受限但需稳定运行的高电压应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R950CFDATMA1-HXY

商品编号

C53134110

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)