IPD65R1K0CEAUMA1-HXY

IPD65R1K0CEAUMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的物理特性，该器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频DC-DC变换器等场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R1K0CEAUMA1-HXY

商品编号

C53134112

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)