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STD7N65M2-HXY
STD7N65M2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备5.3A的连续漏极电流，最大漏源电压为650V，导通电阻为820mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+19V。采用碳化硅材料，器件在高耐压基础上实现了较低的导通损耗，并具有良好的高温稳定性和快速开关能力。适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源转换系统，尤其适合高频运行环境下的功率开关应用。
- 商品型号
- STD7N65M2-HXY
- 商品编号
- C53134115
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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