您好，请
我的工作台消息(0)
嘉立创上市
购物车0
嘉立创上市
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/FPC/SMT工业品面板定制
STD7N65M2-HXY实物图
  • STD7N65M2-HXY商品缩略图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STD7N65M2-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，低导通电阻、低电容、高速开关、低反向恢复

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
该N沟道碳化硅MOSFET具备5.3A的连续漏极电流，最大漏源电压为650V，导通电阻为820mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+19V。采用碳化硅材料，器件在高耐压基础上实现了较低的导通损耗，并具有良好的高温稳定性和快速开关能力。适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源转换系统，尤其适合高频运行环境下的功率开关应用。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
STD7N65M2-HXY
商品编号
C53134115
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置独立式
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)5.3A
耗散功率(Pd)32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.6V
栅极电荷量(Qg)5.9nC
输入电容(Ciss)68pF
反向传输电容(Crss)1.8pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)12pF
导通电阻(RDS(on))820mΩ@18V

商品特性

  • 宽带隙碳化硅MOSFET技术
  • 低导通电阻与高阻断电压
  • 低电容与高速开关
  • 低反向恢复电荷(Qrr)
  • 无卤素，符合RoHs标准

应用领域

  • 开关模式电源
  • 可再生能源
  • 车载充电器
  • 高压直流/直流转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF