STD7N65M6-HXY

STD7N65M6-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于高电压、高效率的功率转换场景。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD7N65M6-HXY

商品编号

C53134111

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)