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STD6N65M2-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+19V，适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频特性和较低的开关损耗，在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑设计与高效运行。
- 商品型号
- STD6N65M2-HXY
- 商品编号
- C53134118
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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