STDLED656-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHs标准

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.3A，导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。其栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+19V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于高频电源转换、光伏逆变器、服务器电源及高效率充电设备等对能效和体积敏感的应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STDLED656-HXY

商品编号

C53134116

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)