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STDLED656-HXY
STDLED656-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.3A，导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。其栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+19V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于高频电源转换、光伏逆变器、服务器电源及高效率充电设备等对能效和体积敏感的应用场合。
- 商品型号
- STDLED656-HXY
- 商品编号
- C53134116
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω |
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