IPA65R110CFDXKSA2-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具有良好的热稳定性和抗干扰能力。其低导通电阻有助于提升系统整体效率，适用于高功率密度的电源转换及高频逆变等场合，能够满足对能效和可靠性要求较高的电子系统需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R110CFDXKSA2-HXY

商品编号

C53134108

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.9克(g)