STFU28N65M2-HXY

STFU28N65M2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，在高电压应用中展现出较低的导通损耗和优异的开关特性，同时具备良好的高温工作能力。适用于需要高效率、高频率运行的电源转换系统，可有效支持对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STFU28N65M2-HXY

商品编号

C53134109

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.96克(g)