STF26N65DM2-HXY

STF26N65DM2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）、11A的连续漏极电流（ID）以及165mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗，并具有良好的高温工作能力。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对体积和能效有较高要求的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF26N65DM2-HXY

商品编号

C53134106

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)