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STF24NM65N-HXY
STF24NM65N-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）为11A，导通电阻（RDS(on)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。
- 商品型号
- STF24NM65N-HXY
- 商品编号
- C53134105
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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