STF24NM65N-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）为11A，导通电阻（RDS(on)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF24NM65N-HXY

商品编号

C53134105

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.89克(g)