MCPF180N65SH-BP-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、高速开关、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和开关性能，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子应用中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MCPF180N65SH-BP-HXY

商品编号

C53134100

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)