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NTPF190N65S3HF-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）、11A的连续漏极电流（ID）以及165mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作时仍能保持较低的导通与开关损耗，并具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源系统中的功率转换模块以及对体积和散热有严苛要求的电力电子设备。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTPF190N65S3HF-HXY
商品编号: C53134101
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.9克(g)

商品参数

该产品采用宽禁带碳化硅MOSFET技术，具备高阻断电压下的低导通电阻、高速开关下的低电容以及低反向恢复电荷等特性，有助于降低开关损耗、提升系统开关频率与功率密度，并减少散热需求。同时，该产品符合无卤素与RoHS环保标准。