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IPA65R190C7XKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适合在高频、高效率的电源拓扑中使用，如开关电源、光伏逆变器及高密度功率转换模块。其参数组合有助于降低系统能耗并简化热管理设计。
- 商品型号
- IPA65R190C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134099
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带SiC MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
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