STF40N65M2-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）典型值为95mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于高效率、高频开关场景。器件凭借碳化硅材料特性，在高温与高压环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对能效和功率密度要求较高的电源转换系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF40N65M2-HXY

商品编号

C53134098

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)