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STF40N65M2-HXY
STF40N65M2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）典型值为95mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于高效率、高频开关场景。器件凭借碳化硅材料特性，在高温与高压环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对能效和功率密度要求较高的电源转换系统中。
- 商品型号
- STF40N65M2-HXY
- 商品编号
- C53134098
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ |
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