NTPF095N65S3H-HXY

NTPF095N65S3H-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTPF095N65S3H-HXY

商品编号

C53134096

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.833333克(g)