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STW50N65DM2AG-HXY
STW50N65DM2AG-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压容限提升了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对体积和热管理有较高要求的电力电子应用。
- 商品型号
- STW50N65DM2AG-HXY
- 商品编号
- C53134095
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.98克(g)
商品参数
参数完善中
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