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STW50N65DM2AG-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压容限提升了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对体积和热管理有较高要求的电力电子应用。
- 商品型号
- STW50N65DM2AG-HXY
- 商品编号
- C53134095
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
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