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STW24NM65N-HXY
STW24NM65N-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为800V，导通电阻典型值为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子系统。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，适合用于高效率电源转换、可再生能源逆变器及各类中高压功率管理场景。
- 商品型号
- STW24NM65N-HXY
- 商品编号
- C53134048
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.32克(g)
商品参数
参数完善中
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