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STF9HN65M2-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，采用宽带隙技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和较低的开关损耗，在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑高效的电路设计。
- 商品型号
- STF9HN65M2-HXY
- 商品编号
- C53134050
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω |
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