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IPWS65R035CFD7AXKSA1-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对功率密度和热管理要求较高的电力电子应用中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPWS65R035CFD7AXKSA1-HXY
商品编号: C53134056
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.07克(g)

商品参数

参数完善中