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STW88N65M5-HXY
STW88N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和高热导率特性，在高频开关应用中可显著降低导通与开关损耗。适用于对效率、体积和散热性能有较高要求的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高密度电力变换模块。
- 商品型号
- STW88N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134058
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.23克(g)
商品参数
参数完善中
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