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IPP65R110CFD7XKSA1-HXY
IPP65R110CFD7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换系统。其低RDS(on)有助于减小导通压降，提升整体能效，同时宽VGS耐受范围增强了驱动兼容性与可靠性。
- 商品型号
- IPP65R110CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134087
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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