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STW38N65M5-HXY
STW38N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的高热导率与高临界电场强度，器件在高频、高电压工作条件下仍能保持较低的导通损耗和良好的开关特性。其优化的栅压范围适配多种驱动方案，适用于高效率电源转换、可再生能源接入系统及对功率密度和热性能有较高要求的电子设备。
- 商品型号
- STW38N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134093
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.96克(g)
商品参数
参数完善中
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