SIHP100N65E-GE3-HXY

SIHP100N65E-GE3-HXY

描述

该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道结构，最大漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压与大电流条件下仍保持较低的导通损耗和良好的开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合多种拓扑结构中的高频开关应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHP100N65E-GE3-HXY

商品编号

C53134091

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)