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IXFP34N65X2W-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的连续漏极电流能力，漏源耐压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压允许范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关应用中可显著降低导通与开关损耗，适用于高效率电源、光伏逆变器及高功率密度电力转换系统。其低RDS(on)有助于减少发热，而宽VGS范围增强了驱动兼容性与运行可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IXFP34N65X2W-HXY
商品编号: C53134088
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

参数完善中