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NTP095N65S3HF-HXY
NTP095N65S3HF-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为30A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关操作中具有较低的导通损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用。
- 商品型号
- NTP095N65S3HF-HXY
- 商品编号
- C53134090
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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