IXFP34N65X3-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性，可降低开关损耗、提高系统开关频率和功率密度

描述

该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，最大漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXFP34N65X3-HXY

商品编号

C53134089

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)