IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY

IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）达108A，导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，栅源电压范围（VGS）为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高电压和大电流条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高频率的电源转换系统、服务器电源、可再生能源发电设备以及对热管理要求严苛的功率电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY

商品编号

C53134052

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.04克(g)