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IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）达108A，导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，栅源电压范围（VGS）为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高电压和大电流条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高频率的电源转换系统、服务器电源、可再生能源发电设备以及对热管理要求严苛的功率电子应用。
- 商品型号
- IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134052
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
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