温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTX102N65X2-HXY
IXTX102N65X2-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少热损耗，提升系统整体能效表现。
- 商品型号
- IXTX102N65X2-HXY
- 商品编号
- C53134053
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- IXTR102N65X2-HXY
- IPWS65R035CFD7AXKSA1-HXY
- STW78N65M5-HXY
- STW88N65M5-HXY
- SIHP15N65E-GE3-HXY
- STP16N65M5-HXY
- MSJP14N65A-BP-HXY
- IPWS65R050CFD7AXKSA1-HXY
- IXFH60N65X2-HXY
- IXFH70N65X3-HXY
- IXTH62N65X2-HXY
- IXTH64N65X-HXY
- NVH050N65S3F-HXY
- SIHG61N65EF-GE3-HXY
- SIHG64N65E-GE3-HXY
- STW62N65M5-HXY
- STW63N65DM2-HXY
- STW65N65DM2AG-HXY
- STW70N65M2-HXY
- SIHG041N65SF-GE3-HXY
- STW69N65M5-HXY