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STW69N65M5-HXY
STW69N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和44mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作时表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热导性能。适用于高效率、高功率密度的电源系统，尤其在对体积、散热及能效有严格要求的电力电子设备中表现突出。
- 商品型号
- STW69N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134076
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.85克(g)
商品参数
参数完善中
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