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STW69N65M5-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和44mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作时表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热导性能。适用于高效率、高功率密度的电源系统，尤其在对体积、散热及能效有严格要求的电力电子设备中表现突出。
- 商品型号
- STW69N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134076
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ |
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