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FCP099N65S3-HXY
FCP099N65S3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持30A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，可在栅源电压-10V至+25V范围内可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统。其电气参数适合用于高可靠性、紧凑型的电力转换模块，在多种严苛工作环境中保持稳定性能。
- 商品型号
- FCP099N65S3-HXY
- 商品编号
- C53134085
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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