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FCD600N65S3R0-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、内置碳化硅SBD、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为10.2A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为550mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，在高耐压条件下仍能维持稳定的开关行为，适用于对电压裕量和可靠性要求较高的电源系统。其驱动电压范围支持多种控制电路接口，有助于简化栅极驱动设计，同时明确的参数指标便于在高频或高效率应用场景中进行精确选型与布局。
- 商品型号
- FCD600N65S3R0-HXY
- 商品编号
- C53134079
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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