温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXFY8N65X2-HXY
IXFY8N65X2-HXY
- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为9.3A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具有较高的耐压能力和良好的开关性能，适用于中低功率的高效电源转换场合。其较宽的栅极驱动电压范围增强了与不同驱动电路的适配性，而明确的电气参数有助于在紧凑型设计中实现稳定可靠的开关操作。
- 商品型号
- IXFY8N65X2-HXY
- 商品编号
- C53134078
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- FCD600N65S3R0-HXY
- SIHG33N65E-GE3-HXY
- SIHG33N65EF-GE3-HXY
- SIHG110N65SF-GE3-HXY
- SIHG125N65E-GE3-HXY
- SIHG28N65E-GE3-HXY
- FCP099N65S3-HXY
- IPP65R099CFD7AAKSA1-HXY
- IPP65R110CFD7XKSA1-HXY
- IXFP34N65X2W-HXY
- IXFP34N65X3-HXY
- NTP095N65S3HF-HXY
- SIHP100N65E-GE3-HXY
- STP38N65M5-HXY
- STW38N65M5-HXY
- STW42N65M5-HXY
- STW50N65DM2AG-HXY
- NTPF095N65S3H-HXY
- IPA65R099C6XKSA1-HXY
- STF40N65M2-HXY
- IPA65R190C7XKSA1-HXY