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IXFY8N65X2-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为9.3A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具有较高的耐压能力和良好的开关性能，适用于中低功率的高效电源转换场合。其较宽的栅极驱动电压范围增强了与不同驱动电路的适配性，而明确的电气参数有助于在紧凑型设计中实现稳定可靠的开关操作。
- 商品型号
- IXFY8N65X2-HXY
- 商品编号
- C53134078
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 43.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 147pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ |
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