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STW77N65M5-HXY
STW77N65M5-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为70A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)典型值为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效表现。
- 商品型号
- STW77N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134077
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.86克(g)
商品参数
参数完善中
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