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STW77N65M5-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为70A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)典型值为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效表现。
- 商品型号
- STW77N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134077
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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