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STW62N65M5-HXY
STW62N65M5-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为45mΩ，在-10V至+25V的栅源电压范围内稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电力电子系统。其电气参数组合使其能够在高功率密度设计中提供可靠性能，同时支持紧凑型电路布局。
- 商品型号
- STW62N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134071
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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