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STW62N65M5-HXY
STW62N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为45mΩ，在-10V至+25V的栅源电压范围内稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电力电子系统。其电气参数组合使其能够在高功率密度设计中提供可靠性能，同时支持紧凑型电路布局。
- 商品型号
- STW62N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134071
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ |
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