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STW65N65DM2AG-HXY
STW65N65DM2AG-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流（ID）达55A，漏源击穿电压（VDSS）为650V，导通电阻（RDS(on)）典型值为45mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频、高效率应用场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换系统。其低导通损耗与宽驱动电压窗口有助于简化驱动电路设计并提升整体系统可靠性。
- 商品型号
- STW65N65DM2AG-HXY
- 商品编号
- C53134073
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ |
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