IPT65R025CM8XTMA1-HXY

IPT65R025CM8XTMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源并网系统以及对热管理要求较高的电力电子应用。宽VGS范围增强了与多种驱动电路的兼容性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPT65R025CM8XTMA1-HXY

商品编号

C53134055

商品封装

TOLLS​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)