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STP16N65M5-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为9A，漏源击穿电压达650V，导通电阻典型值为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
- 商品型号
- STP16N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134061
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带SiC MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷(Qrr)
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
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