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SIHG64N65E-GE3-HXY
SIHG64N65E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为55A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源接入设备及高功率密度的电力电子系统。其低RDS(on)有助于降低导通阶段的功率耗散，而宽VGS范围则增强了与多种驱动电路的兼容性，提升系统运行的可靠性与稳定性。
- 商品型号
- SIHG64N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134070
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ |
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