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AOTF7N65
AOTF7N65
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），在25℃下典型导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，该器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。
- 商品型号
- AOTF7N65
- 商品编号
- C53134059
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 25.86W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 37.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ |
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