AOTF7N65

AOTF7N65

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），在25℃下典型导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，该器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOTF7N65

商品编号

C53134059

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

3.35克(g)