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STW78N65M5-HXY
STW78N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持99A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性。适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高功率密度的电力电子设备，能够在严苛电气环境中维持可靠运行。
- 商品型号
- STW78N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134057
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.06克(g)
商品参数
参数完善中
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