DMG9N65CTI-HXY

DMG9N65CTI-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.1A，导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备较高的耐压能力和良好的开关特性，适用于高效率电源转换、开关电源、光伏逆变器及高频电力电子系统等场景，在提升系统功率密度和降低损耗方面具有优势。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMG9N65CTI-HXY

商品编号

C53134051

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)