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DMG9N65CTI-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.1A，导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备较高的耐压能力和良好的开关特性，适用于高效率电源转换、开关电源、光伏逆变器及高频电力电子系统等场景，在提升系统功率密度和降低损耗方面具有优势。
- 商品型号
- DMG9N65CTI-HXY
- 商品编号
- C53134051
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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