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IPD65R600C6ATMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置SiC SBD，具备低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速开关等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。其结构利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出较低的导通损耗与良好的热稳定性。适用于高频、高效率要求的电源转换系统，可在紧凑布局中实现可靠的功率开关功能。
- 商品型号
- IPD65R600C6ATMA1-HXY
- 商品编号
- C53133886
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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