IPD65R660CFDBTMA1-HXY

IPD65R660CFDBTMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于高效率、高频率的功率转换场景。碳化硅材料特性使其在高温和高压条件下仍能保持稳定性能，适合用于对可靠性与能效要求较高的电力电子系统中，如电源适配器、光伏逆变器及高频开关电源等应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R660CFDBTMA1-HXY

商品编号

C53133892

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)