R6507END3TL1-HXY

R6507END3TL1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6507END3TL1-HXY

商品编号

C53133895

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)