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IXTP12N65X2M-HXY
IXTP12N65X2M-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃环境下可承载9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，确保在多种驱动条件下稳定运行。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。
- 商品型号
- IXTP12N65X2M-HXY
- 商品编号
- C53133905
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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