IXTP12N65X2M-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强型

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃环境下可承载9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，确保在多种驱动条件下稳定运行。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXTP12N65X2M-HXY

商品编号

C53133905

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)