SIHK125N65E-T1-GE3-HXY

SIHK125N65E-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关效率，适用于高频率、高效率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHK125N65E-T1-GE3-HXY

商品编号

C53133944

商品封装

TOLLS​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)