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SIHP28N65E-GE3-HXY
SIHP28N65E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其采用碳化硅半导体结构，在高频开关条件下可实现较低的导通与开关损耗，并具有良好的热导性能。适用于高效率电源、光伏逆变器、服务器供电系统及对功率密度和能效有明确要求的电力电子应用场合。
- 商品型号
- SIHP28N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133960
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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