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NTH4LN095N65S3H-HXY
NTH4LN095N65S3H-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算电源等场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于提升系统可靠性与热管理性能。
- 商品型号
- NTH4LN095N65S3H-HXY
- 商品编号
- C53133978
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.28克(g)
商品参数
参数完善中
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